В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть пособия полезна студентам, специализирующимся в проектировании быстродействующих электронных средств по твердотельной технологии.
Категория: учебники и пособия для вузов
ISBN: 978-5-7782-1618-1
Правообладатель: Новосибирский государственный технический университет
Легальная стоимость: 115.00 руб.
Ограничение по возрасту: 0+
Комментарии ():