Рассмотрены модели релаксации полупроводниковой пленки на подложке и однородного деформирования при растяжении стержня из термовязкопластичного материала. Учитывается изменение упругой энергии несоответствия за счет дислокационной перестройки и механизма неоднородного распределения состава компонент пленки. Сформулированы системы уравнений описывающих процессы релаксации в пленке и пластическое деформирование пористого стержня с учетом действия электрического тока и водородной хрупкости. Построены компьютерные модели пленки SiGe нанометровой толщины на Si подложке и SiGe островков нанометровых размеров на смачивающем слое, учитывающие влияние механодиффузии, наличие дислокаций несоответствия, туннельных трещин, проникающих и винтовых дислокаций.
Категория: физика
ISBN: 9785466075656
Правообладатель: КноРус
Год: 2024
Легальная стоимость: 790.00 руб.
Ограничение по возрасту: 0+
Комментарии ():